Conception Simulation et Caractérisation de Boitiers Avancés de Transistors Gan sur Silicium pour les Applications d'Électromobilité H/F

CNRS

Conception, simulation et caractérisation de boitiers avancés de transistors GaN sur silicium pour les applications d'électromobilité
Contexte de travail
Le SATIE (UMR8029) est une unité mixte de recherche sous la tutelle conjointe du CNRS, Université Paris-Saclay, ENS-Paris-Saclay, le CNAM, Cergy Paris Université et Université Gustave Eiffel. Cette unité est hébergée principalement dans les locaux de l'ENS-Paris-Saclay, mais est également hébergée dans différents sites de ses tutelles (sur le campus de Versailles de l'Université Eiffel, à Paris dans les locaux du CNAM, dans les locaux de Neuville de Cergy-Paris-Université). La direction de l'unité est hébergée sur le site principal de l'ENS-Paris-Saclay à Gif-sur-Yvette. L'unité mène des recherches dans le domaine de l'énergie et de l'information et compte environ 200 personnes dont 100 permanents et de 100 doctorants.
Le laboratoire se concentre sur l'étude des systèmes complexes instrumentés, combinant le traitement de l'information et de l'énergie électrique. Ses activités de recherche couvrent un large spectre en génie électrique, incluant les matériaux pour le génie électrique, l'électronique, l'électronique de puissance et les machines électriques.
Les recherches menées au SATIE sont orientées vers des enjeux sociétaux majeurs, tels que la transition énergétique ou le développement de systèmes plus soutenables.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Aucuns risques particuliers.