Stage - Contribuez au Développement des Transistors de Puissance du Futur en Gan H/F CEA

Ce stage offre une opportunité unique de développer vos compétences sur les composants de puissance en GaN et de concevoir des architectures de pointe.
Vous travaillerez au sein d'une équipe pluridisciplinaire spécialisée en ingénierie des matériaux, caractérisation, simulation de dispositifs et mesures électriques, avec la possibilité d'évoluer ensuite vers une thèse de doctorat.
Si vous êtes motivé(e) par l'innovation, l'élargissement de vos connaissances et la résolution de défis technologiques de pointe, ce stage constituera un atout précieux pour votre parcours professionnel.
Les composants de puissance verticaux en GaN sont très prometteurs pour les applications au-delà du kilovolt et font donc l'objet d'intenses recherches à l'échelle mondiale. Des transistors de type « trench MOSFET » ont déjà été démontrés dans l'état de l'art avec des résultats très encourageants. L'empilement de grille (gate stack) de ces dispositifs est un élément clé, car il impacte directement la résistance à l'état passant, la tension de seuil et le signal de commande appliqué dans un convertisseur de puissance.
L'étude proposée dans ce stage portera sur le développement d'empilements de grille innovants capables de supporter de hautes tensions de commande tout en conservant une tension de seuil et une mobilité de canal de haut niveau, avec un piégeage diélectrique minimal. Le travail consistera à analyser l'influence des paramètres de fabrication sur les performances électriques, avec un accent particulier sur l'optimisation de la géométrie de la grille par simulations TCAD. Les améliorations identifiées seront intégrées dans les dispositifs produits sur notre ligne 200 mm de composants de puissance en GaN.