- Jobs
- Entreprises
-
Accès recruteur
-
Emploi
- Formation
-
Mon compte
-

CDD Chercheur Croissance Epitaxiale de Pérovskites Halogénées par Épitaxie Sous Jets Moléculairess H/F CNRS
- Valbonne - 06
- CDD
- Bac +5
- Service public des collectivités territoriales
Détail du poste
Un poste de postdoctorant est ouvert au sein du groupe de Jesus Zuniga-Perez (CRHEA, Université Côte d'Azur-CNRS), dans le cadre du projet ANR SPOIR. Le/La postdoctorant(e) sera chargé(é) de développer la croissance épitaxiale de pérovskites halogénées par épitaxie par jets moléculaires et de caractériser leurs propriétés structurales, morphologiques, électriques et optiques, en évaluant en particulier leur stabilité dans des conditions ambiantes. Une fois la croissance des composés de pérovskites halogénées maîtrisée, le/la postdoctorant(e) réalisera la croissance et l'analyse de nouvelles hétérostructures quantiques.
A propos du projet ANR SPOIR :
Le projet SPOIR, « Stable perovskites for solar cells », vise à explorer la synthèse et la croissance de films minces de pérovskites halogénées inorganiques (HPs) CsMX, avec M = (Pb, Sn) et X = (I, Br), présentant une seule phase monocristalline pour des applications photovoltaïques et optoélectroniques. L'idée sous-jacente est de développer des films mines monocristallins au lieu des films polycristallins standards, améliorant ainsi leur stabilité ainsi que leurs performances optoélectroniques (longueurs de diffusion des porteurs et densité de centres de recombinaison non radiative).
Le CRHEA sera responsable de la croissance des pérovskites halogénées par épitaxie par jets moléculaires (MBE), qui est la technique de référence pour les hétérostructures optoélectroniques avancées, tels que les lasers ou les transistors à haute mobilité électronique. Toutefois, la MBE a été très peu utilisée dans le domaine des pérovskites, bien qu'elle devrait offrir l'accès à des matériaux de haute qualité cristalline jusqu'à présent disponibles uniquement sous forme de cristaux massifs.
Le deuxième objectif du projet, en lien avec le développement d'une technologie solaire stable et durable à base de pérovskites, est de synthétiser des HPs inorganiques sans plomb. Le développement de pérovskites à base d'étain devrait jouer un rôle majeur dans les futures cellules solaires et dispositifs optoélectroniques durables à base de pérovskites.
Le consortium réunit trois partenaires : LUMIN (Université Paris-Saclay), INSP (Sorbonne Université) et CRHEA (Université Côte d'Azur), tous affiliés au CNRS.
Activités
Le/La postdoctorant(e) travaillera sur la croissance des pérovskites halogénées par épitaxie par jets moléculaires sur un réacteur dédié disponible au CRHEA. Le/La candidat(e) caractérisera ensuite les propriétés morphologiques, structurales, électriques et optiques des films minces et fabriquera des dispositifs tests dans la salle blanche du CRHEA. Pour des caractérisations optiques plus avancées, le/la candidat(e) réalisera des expériences supplémentaires lors de séjours de recherche dans les laboratoires collaborateurs. Après avoir maîtrisé la croissance de plusieurs composés ternaires, le/la postdoctorant(e) évaluera la possibilité de construire des hétérostructures quantiques à base de pérovskites monocristallines, ce qui n'a pas encore été démontré. Cela ouvrira de nombreuses perspectives en termes d'applications et de physique fondamentale.
Le/La postdoctorant(e) sera encadré(e) par C. Deparis, E. Frayssinet et J. Zuniga-Perez.
Compétences
Qualifications et expertise souhaitée:
- Doctorat en science des matériaux ou en nanofabrication de dispositifs.
- Expérience pratique avec les réacteurs de croissance et/ou en salle blanche.
- Connaissance de la caractérisation structurale et/ou optique des semiconducteurs.
- Connaissances en simulations numériques appréciées mais non obligatoires.
- Excellentes compétences analytiques, organisationnelles et de communication.
- Créativité et capacité à penser différemment.
Contexte de travail
A propos de l'équipe.
L'équipe de Jesus Zuniga-Perez (CNRS) travaille dans le domaine de la croissance épitaxiale de semiconducteurs depuis plus de 15 ans, développant des hétérostructures ZnO et GaN de haute qualité ainsi que l'introduction de nouveaux semiconducteurs. Un élément central du projet SPOIR, qui est déjà disponible au CRHEA, c'est l'accès à un réacteur MBE modifié qui permet gérer l'environnement corrosif induit par les composés halogénés.
Environnement de travail
Le CRHEA (Centre de Recherche sur l'Hétéro-Épitaxie et ses Applications, Université Côte d'Azur-CNRS) est un laboratoire phare dans le domaine de l'épitaxie des semiconducteurs à grand gap et a coordonné le Labex GaNeX/t dédié au GaN. Le CRHEA a développé une expertise unique dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques, allant des cellules solaires aux LED et lasers, ainsi que de dispositifs électroniques tels que les transistors à haute mobilité. L'équipe dispose des compétences et des outils nécessaires pour la caractérisation structurale et optique des matériaux à croître, ainsi que de la technologie de salle blanche indispensable pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques de démonstration.
Au CRHEA, le/la postdoctorant(e) interagira étroitement avec Christiane Deparis, Eric Frayssinet et Jesus Zuniga-Perez (croissance MBE des pérovskites), l'équipe salle blanche (Virginie Brändli, Sébastien Chenot et Maksym Gromovyii), Mathieu Leroux (caractérisation optique), Maxime Hugues (caractérisation électrique) ainsi que Maud Nemoz et Ileana Florea (caractérisation structurale).
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
A propos de l'équipe.
L'équipe de Jesus Zuniga-Perez (CNRS) travaille dans le domaine de la croissance épitaxiale de semiconducteurs depuis plus de 15 ans, développant des hétérostructures ZnO et GaN de haute qualité ainsi que l'introduction de nouveaux semiconducteurs. Un élément central du projet SPOIR, qui est déjà disponible au CRHEA, c'est l'accès à un réacteur MBE modifié qui permet gérer l'environnement corrosif induit par les composés halogénés.
Environnement de travail
Le CRHEA (Centre de Recherche sur l'Hétéro-Épitaxie et ses Applications, Université Côte d'Azur-CNRS) est un laboratoire phare dans le domaine de l'épitaxie des semiconducteurs à grand gap et a coordonné le Labex GaNeX/t dédié au GaN. Le CRHEA a développé une expertise unique dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques, allant des cellules solaires aux LED et lasers, ainsi que de dispositifs électroniques tels que les transistors à haute mobilité. L'équipe dispose des compétences et des outils nécessaires pour la caractérisation structurale et optique des matériaux à croître, ainsi que de la technologie de salle blanche indispensable pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques de démonstration.
Au CRHEA, le/la postdoctorant(e) interagira étroitement avec Christiane Deparis, Eric Frayssinet et Jesus Zuniga-Perez (croissance MBE des pérovskites), l'équipe salle blanche (Virginie Brändli, Sébastien Chenot et Maksym Gromovyii), Mathieu Leroux (caractérisation optique), Maxime Hugues (caractérisation électrique) ainsi que Maud Nemoz et Ileana Florea (caractérisation structurale).
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Notre offre:
- L'opportunité de travailler sur un projet innovant et de jouer un rôle clé dans la structuration du domaine émergent des dispositifs à base de pérovskites.
- L'opportunité d'encadrer des stagiaires.
- De nombreuses collaborations en France, en Europe et à Singapour dans des environnements hautement stimulants.
- D'excellentes opportunités de réseau avec des experts de premier plan issus du monde académique et industriel.
- D'excellentes conditions de travail avec un salaire et des avantages compétitifs.
Les candidats intéressés doivent envoyer leur candidature comprenant un CV détaillé, une lettre de motivation expliquant leur intérêt et leur parcours ainsi qu'une liste de publications
Notre offre:
- L'opportunité de travailler sur un projet innovant et de jouer un rôle clé dans la structuration du domaine émergent des dispositifs à base de pérovskites.
- L'opportunité d'encadrer des stagiaires.
- De nombreuses collaborations en France, en Europe et à Singapour dans des environnements hautement stimulants.
- D'excellentes opportunités de réseau avec des experts de premier plan issus du monde académique et industriel.
- D'excellentes conditions de travail avec un salaire et des avantages compétitifs.
Les candidats intéressés doivent envoyer leur candidature comprenant un CV détaillé, une lettre de motivation expliquant leur intérêt et leur parcours ainsi qu'une liste de publications
Pas de salaire renseigné
Publiée le 26/09/2025 - Réf : UMR7073-MICPEF-092 Nombre de Postes
CDD Chercheur Croissance Epitaxiale de Pérovskites Halogénées par Épitaxie Sous Jets Moléculairess H/F
- Valbonne - 06
- CDD
Créez une alerte
Pour être informé rapidement des nouvelles offres, merci de préciser les critères :
Finalisez votre candidature
sur le site du recruteur
Créez votre compte pour postuler
sur le site du recruteur !
sur le site du recruteur
sur le site du recruteur !
Recherches similaires
- Job Chercheur
- Job Recherche
- Job Monaco
- Job Nice
- Job Cannes
- Job Antibes
- Job Menton
- Job Grasse
- Job Cagnes-sur-Mer
- Job Carros
- Job Saint-Laurent-du-Var
- Job Vence
- Job Technicien bureau d'étude
- Job Chargé de projet
- Job Responsable de bureau d'études
- Job Technicien d'études de prix
- Job Responsable technique
- Entreprises Recherche
- Entreprises Chercheur
- Entreprises Valbonne
- Job Fonction publique
- Job Collectivités
- Job Fonction publique territoriale
- Job Centre
- Job Europe
- CNRS Valbonne
- CNRS Chercheur
{{title}}
{{message}}
{{linkLabel}}